GlobalFoundries го претстави FDX Fusion, нов производствен процес за полупроводници што компанијата го опишува како технологија со дигитални перформанси од 7nm класа. Производството е планирано за 2028 година во фабриката во Дрезден, Германија.

Новиот процес не се потпира на FinFET транзистори, туку на рамнински транзистори и целосно осиромашена силициумска изолациска подлога, позната како FD-SOI. Тоа е значаен пресврт за GlobalFoundries, која во 2018 година ја прекина работата на својот 7nm FinFET процес развиван со IBM и се повлече од најнапредните производствени јазли.

FDX Fusion е наменет првенствено за автомобилската индустрија, индустриски уреди, роботика, сензори и други производи кај кои потрошувачката, интеграцијата и цената се поважни од највисоките можни перформанси. Компанијата најавува повеќе од двојно поголема густина на транзистори во споредба со првата генерација на нејзината 22FDX технологија.

Една од клучните цели е на еден чип да се обединат дигитална логика, RF-компоненти, аналогни и мешани кола, вградена непроменлива меморија и пресметување во меморијата. Таквиот пристап би можел да ја намали потребата од повеќе одделни чипови во еден уред, а со тоа и сложеноста на системите и нивната потрошувачка на енергија.

GlobalFoundries наведува и поддршка за RF транзистори со fT/fmax до 0,5 THz, како и процесорски IP решенија базирани на MIPS, ARC и RISC-V архитектури. Првите демонстрациски чипови за клиентите се очекуваат на почетокот на 2027 година, додека првиот комплет за проектирање на процесот треба да биде достапен во средината на истата година.

Компанијата веќе соработува со повеќе партнери, а интерес за FDX Fusion покажале BMW, Bosch, Infineon, NXP, Siemens и Tesla. Infineon конкретно потврдил соработка за идни технологии од 7nm класа наменети за радарски и безжични комуникации.

Сепак, GlobalFoundries сè уште не објави клучни технички податоци, како димензиите на транзисторите, растојанието меѓу металните слоеви и точната густина на транзисторите. Затоа останува нејасно како FDX Fusion ќе се споредува со веќе зрелите 7nm FinFET процеси во однос на перформанси, потрошувачка, цена и производни приноси.