Институтот за микроелектроника при Кинеската академија на науки, IMECAS, развил експериментален процес за изработка на транзистори со структура gate-all-around, или GAA, користејќи DUV литографија со потопување. Истражувачите веќе демонстрирале функционални примероци со наредени нано-листови, технологија што во иднина би можела да се користи за процеси од класата 3nm и под неа.
Значењето на проектот е во обидот напредните GAA транзистори да се произведуваат без EUV литографија. Токму EUV системите се клучен дел од најсовременото производство на чипови, но пристапот до таква опрема е ограничен за кинеските компании. IMECAS затоа истражува алтернативен пат со DUV технологија, која е постара, но пошироко достапна.
На конференцијата IC World во Пекинг, главниот инженер на кинескиот Национален голем специјален проект 02, Је Тианчун, посочил дека е завршена раната интеграција на процесот за GAA транзистори со канали од наредени нано-листови. Тестираните уреди постигнале Ion/Ioff односи од 9,7 × 10⁵ и 7,6 × 10⁵, над прагот од 5 × 10⁵. Ова покажува дека гејтот може ефикасно да ја контролира проводливата и непроводливата состојба на каналите.
Сепак, демонстрацијата не значи дека Кина веќе има 3nm процес подготвен за фабричко производство. IMECAS не објавил важни геометриски податоци, како растојание меѓу гејтовите и металните слоеви, димензии на нано-листовите, густина на транзистори или густина на SRAM меморија. Без овие параметри, невозможно е директно да се спореди резултатот со комерцијалните 3nm технологии на TSMC, Samsung Foundry или Intel.
GAA транзисторите постепено ги заменуваат FinFET структурите кај најнапредните чипови, бидејќи гејтот го опфаќа каналот од повеќе страни и овозможува подобра контрола кога компонентите стануваат сè помали. IMECAS работи на технологии за оваа транзиција од 2020 година, со фокус на процеси под 3nm.
До комерцијална примена останува долг пат. Покрај литографијата, целосниот производствен процес бара усогласување на таложење материјали, гравирање, чистење, мерења, контрола на процесите и низа други чекори. Засега, резултатот е потврда дека DUV може да послужи за истражување на GAA транзистори, а не доказ за завршена 3nm производствена технологија.